Caracterización eléctrica de óxido de grafeno expuesto a la luz UV

Abstract

La capacidad que posee un material para absorber radiación depende fundamentalmente de su composición química y, de los defectos estructurales inducidos. El óxido de grafeno (GO) recientemente se ha utilizado en la determinación de dosis absorbida para altas y bajas energías. Al tratar radiación ionizante existen dos técnicas para la de determinación de dosis absorbida, una de ellas es la termoluminiscencia (TL) y la otra la luminiscencia ópticamente estimulada (LOE). A fin de proponer una técnica más accesible, en el presente trabajo propone la caracterización eléctrica de óxido de grafeno expuesto a una fuente de luz UV. Se empleo´ tinta conductiva de óxido de grafeno depositada por Drop cast sobre una placa fenólica de cobre, la cual fue tomada como una carga resistiva en un circuito divisor de voltaje. Se desarrollaron dos configuraciones sujetas a un rango de frecuencias (1 Hz a 12 MHz) empleando una fuente de voltaje (GwINSTEK, Taiwán) y un osciloscopio (Tektronix, China). En la primera configuración la tinta fue expuesta a una fuente ultravioleta con una longitud de onda de 365 nm y la otra sin la presencia de la fuente. Los resultados muestran cambios de potencial eléctrico en el óxido de grafeno ante la radiación UV. Es necesario realizar estudios adicionales para establecer el óxido de grafeno como un sensor de radiación ionizante en tiempo real.